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场效应管MOSFET
锂电管理IC
肖特基
超级结MOS

FNK02N065E

概要信息:
产品参数 Vdss=20V Id=12A Pw=1.25W Vgs=12V   产品特性 低导通电阻 高可靠性 驱动要求简单   产品封装 封装形式:DFN3.3*3.3
基本信息
详细参数
所属分类:
场效应管MOSFET
封装
DFN3.3*3.3
BVDSS(V)
20V
ID(A)
12A
PW(W)
1.25W
Vgs(V)
12V
VTH(V)
0.65
管型
N沟道
耐压
20V—30V
封装
DFN3.3*3.3
RDSON(@10V)
RDSON(@4.5V)
6.5
RDSON(@2.5V)
7.8
数量:
- +
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产品描述
产品参数
 
Vdss=20V
 
Id=12A
 
Pw=1.25W
 
Vgs=12V
 
 
 
产品特性
 
低导通电阻
 
高可靠性
 
驱动要求简单
 
 
 
产品封装
 
封装形式:DFN3.3*3.3
 
关键词:
fnk02n065e
产品
封装
12a
特性
vgs
参数
驱动
形式
pw
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