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场效应管MOSFET
锂电管理IC
肖特基
超级结MOS

FNK03N024E

概要信息:
产品参数 Vdss=30V Id=180A Pw=108W Vgs=20 产品特性 低导通电阻高可靠性要求简单   产品封装 封装形式:DFN5*6
基本信息
详细参数
所属分类:
场效应管MOSFET
封装
DFN5*6
BVDSS(V)
30
ID(A)
180
PW(W)
108
Vgs(V)
20
VTH(V)
1.5
管型
N沟道
耐压
31V—200V
封装
DFN5*6-8L
RDSON(@10V)
2
RDSON(@4.5V)
3.5
RDSON(@2.5V)
数量:
- +
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产品描述
产品参数
 
Vdss=30V
 
Id=180A
 
Pw=108W
 
Vgs=20
 
产品特性
 
低导通电阻
高可靠性
要求简单
 
 
 
产品封装
 
封装形式:DFN5*6
关键词:
fnk03n024e
产品
封装
特性
vgs
参数
形式
dfn5
pw
电阻
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