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场效应管MOSFET
锂电管理IC
肖特基
超级结MOS

FNKG04N18D

概要信息:
产品参数   Vdss=40V   Id=200A   Pw=200W   Vgs=20   产品特性   低导通电阻 高可靠性 要求简单       产品封装   封装形式:TO-263
基本信息
详细参数
所属分类:
场效应管MOSFET
封装
TO-263
BVDSS(V)
40
ID(A)
200
PW(W)
200
Vgs(V)
20
VTH(V)
2
管型
N沟道
耐压
31V—200V
封装
TO-263
RDSON(@10V)
1.4
RDSON(@4.5V)
RDSON(@2.5V)
数量:
- +
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产品描述
产品参数
 
Vdss=40V
 
Id=200A
 
Pw=200W
 
Vgs=20
 
产品特性
 
低导通电阻
高可靠性
要求简单
 
 
 
产品封装
 
封装形式:TO-263
关键词:
fnkg04n18d
产品
封装
特性
vgs
参数
形式
pw
电阻
高可靠性
下一条
FNK03N024E