产品工艺逐步引进SGT

发表时间 ：2022-08-08

SGT MOSFET器件方案

a.最优化的原胞结构，采用最低的外延电阻率以获得极低的Rsp;

b.采用自对准工艺设计技术及上下结构原胞，获得高达645M/inch2高密度单胞，从而获得极低的Rsp；

c.采用先进DFN封装获得更好的散热性能及导通电阻

image.png

image.png